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发布时间:2024-06-26
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产品简介:常应用于HgCdTe(碲镉汞)材料制备的探测器,其敏感波段覆盖2~12um。典型参数如下:基板:Ge、单晶硅等光谱特性: Tave >93%@2-12μm
18136299566
常应用于HgCdTe(碲镉汞)材料制备的探测器,其敏感波段覆盖2~12um。典型参数如下:
基 板:Ge、单晶硅等
光谱特性: Tave >93%@2-12μm