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193nm

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193nm薄膜

发布时间：2024-06-26

浏览量：303

产品简介：薄膜特性：T＞97%@193nm；R＞95%@193nm （石英）； T＞99%@193nm；R＞95%@193nm （ CaF2 ）。薄膜工艺：有偏重光学特性和偏种抗激光损伤两种工艺应用场景：光刻机、ArF激光器等。

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详细信息

薄膜特性：T＞97%@193nm；R＞95%@193nm （石英）；

T＞99%@193nm；R＞95%@193nm （ CaF2 ）。

薄膜工艺：有偏重光学特性和偏种抗激光损伤两种工艺

应用场景：光刻机、ArF激光器等。

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: 193nm薄膜

薄膜特性：T＞97%@193nm；R＞95%@193nm （石英）； T＞99%@193nm；R＞95%@193nm （ CaF2 ）。薄膜工艺：有偏重光学特性和偏种抗激光损伤两种工艺应用场景：光刻机、ArF激光器等。

: 3.7-4.8μm增透膜

制冷型红外探测器的常用工作波段之一。InAs、InSb、PbS、PbSe 等红外探测器的响应波段。典型参数如下：基板：锗、单晶硅、硫化锌等光谱特性：Tave >99% @3.7-4.8μm

: 8-12μm 增透膜

非制冷型红外探测器的常用工作波段之一。夜视仪、红外测距和识别等仪器的常规波段。典型参数如下：基板：锗、单晶硅和硫系玻璃等薄膜特性：Tave>98%@8-12μm牢固度：可确保硫系玻璃牢固度

: 2-12μm 滤光片

常应用于HgCdTe（碲镉汞）材料制备的探测器，其敏感波段覆盖2~12um。典型参数如下：基板：Ge、单晶硅等光谱特性： Tave >93%@2-12μm

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